拜登抵韩后首站前往三星芯片厂

　　【拜登抵韩后首站前往三星芯片厂】韩国总统府也证实了这次访问
，不过韩方仍将其定义为暂定时间表。关于拜登抵韩后首站前往三星芯片厂
，鹤年天府小编带你详细的了解一下。

　　财联社5月20日讯（实习

　　据媒体报道
，拜登在当地时间5月20日下午抵达韩国乌山空军基地后
，将直接前往位于首尔以南70公里的平泽市三星半导体工业园区。

　　韩国总统府也证实了这次访问
，不过韩方仍将其定义为暂定时间表。

　　据媒体分析
，供应链问题成为拜登的访韩议程中的重要内容之一。

　　由于全球国际贸易正面临供应链中断的压力
，而美韩将寻求在特定领域的经济合作
，特别是受供应链中断影响的先进技术领域。

　　拜登的目标是希望加强芯片、电池等产品的新生产和供应链韧性。

　　5月21日下午
，拜登将前往龙山总统府与尹锡悦举行会谈。

　　会谈分为小型会谈、扩大会谈等环节
，持续约90分钟。

　　会后
，两国领导人将共同会见记者
，发表韩美联合宣言。

　　22日下午
，拜登将启程离开韩国
，赴日本访问。

　　尖端的半导体制造技术

　　成为拜登韩国访问首站的三星平泽工厂
，是世界上最大的半导体工厂群。

　　整个平泽园区面积298万平方米
，相当于400个足球场大小。

　　其中平泽2号半导体工厂总建筑面积12.89万平方米
，相当于16个足球场大小。

　　而三星正在建设的平泽3号工厂
，占地70万平方米
，是2号工厂的 1.7 倍
，建成后将成为全球单体最大的晶圆厂
，单单这间工厂的投资额在240-400亿美元。

　　据韩联社报道
，在访问三星平泽工厂期间
，三星副会长李在镕亲自率队陪同。

　　三星电子将会向拜登展示其尖端的半导体制造技术——商用环绕式栅极（Gate-All-Around
，GAA）技术。

　　此技术号称可在5纳米节点提供超越现有FinFET工艺的晶体管密度
，而FinFET是台积电在3纳米工艺上采用的技术。

　　三星公司此前预计
，基于GAA技术下设计的新一代3纳米半导体将在未来几个月后大规模量产。

　　此外
，以GAA技术为基础
，三星还将开发出第二代GAA技术
，即3GAP（Gate-All-Around Plus）
，预计于2023年开始量产。

　　代工能力之争

　　据三星电子的一位相关人员表示
，三星向拜登展示3nm芯片的举动
，意在强调其代工能力可以超过台积电（TSMC）。

　　台积电是中国台湾地区的一家全球知名半导体芯片制造商
，业内称之全球芯片代工之王。

　　作为全球第二大芯片代工厂的三星与台积电一直处于激烈竞争中
，双方都希望能通过率先将3纳米芯片推向大众市场
，从而战胜对手。

　　据三星此前介绍
，与现阶段市场上使用的5纳米芯片制程相比
，GAA技术允许芯片的尺寸缩小35%
，同时性能提高30%、能耗降低50%。

　　三星还补充道
，其2纳米的制程节点尚处于开发的早期阶段
，计划将于2025年大规模生产。

　　行业跟踪机构TrendForce的数据显示
，去年第四季度
，台积电占据了全球代工市场的52.1%
，三星以18.3%紧随其后。

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